日本的科学家发现﹐透过施加电场在磁性记忆储存材料﹐可以降低写入资料时需要施加的磁场。这项发现﹐有可能被应用在制造超高密度的内存上。
在计算机及相关的外围产品逐渐微小化的趋势下﹐作为内存储存的磁性材料
研究﹐也走向高密度的方向。然而﹐由于密度的提高﹐在单位体积/面积上所需要进行资料位储存的磁场﹐也随之提高。磁性材料厂
而因为高磁场的产生有技术上的困难﹐使得高密度磁性材料的应用﹐面临了限制与瓶颈。在本期的ScienceExpress中﹐日本东北大学大野实验室(注)的Daichi Chiba﹐发表了利用施加电场﹐可以降低存取资料所需磁场大小的研究结果。切割磁铁
Daichi等人的实验﹐是先在搀有锰(Mn)金属而具铁磁性的砷化铟(InAs) 上﹐镀上一薄层绝缘体与金属电极﹐然后再通过电极对砷化铟施加电场。他们发现﹐当施加1.5MV/cm的电场时﹐所需要改变磁矩极性(进行资料写入)的磁场大小﹐是未加电场时的五分之一。这个发现﹐使得高密度磁性材料的研究﹐又出现了一线希望。不过﹐计划主持人Hideo Ohno表示﹐由于他们的实验是在绝对温度30K的低温下进行﹐其发现仅能算是初步证实施加电场的可行性。如果要谈到实际应用方面﹐还得以在室温下进行的实验来验证。